RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
27
Velocità di lettura, GB/s
15.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2379
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link