RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2379
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link