RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
34
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
34
Velocità di lettura, GB/s
15.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2711
3294
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link