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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
比较
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
34
读取速度,GB/s
15.8
15.2
写入速度,GB/s
11.8
13.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2711
3294
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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