RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
10.7
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1335
3648
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link