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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Confronto
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
41
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
33
Velocità di lettura, GB/s
10.7
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1335
3285
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Confronto tra le RAM
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
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Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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