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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
41
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
33
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1335
3285
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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