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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Confronto
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
31
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1959
3711
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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