RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Comparar
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
17.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1959
3711
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link