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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Confronto
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
33
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1959
3110
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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