RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Confronto
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
40
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
14900
10600
Intorno 1.41% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
39
40
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
10600
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2509
2363
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link