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Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Mushkin 991586 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991586 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 991586 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2156
2987
Mushkin 991586 2GB Confronto tra le RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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