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Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Mushkin 991586 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991586 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991586 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2156
2987
Mushkin 991586 2GB Comparações de RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
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