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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 4GB
Confronto
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs INTENSO 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Motivi da considerare
INTENSO 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
63
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
36
Velocità di lettura, GB/s
7.7
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1130
2061
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
INTENSO 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
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