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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 4GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs INTENSO 4GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
INTENSO 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
63
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
36
读取速度,GB/s
7.7
12.1
写入速度,GB/s
5.0
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
2061
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
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