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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs INTENSO 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
INTENSO 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
36
读取速度,GB/s
16.9
12.1
写入速度,GB/s
12.0
9.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2061
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
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