Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KV0M5R-HYD 8GB

总分
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

总分
star star star star star
Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    48 left arrow 69
    左右 -44% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.5 left arrow 1,441.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 5300
    左右 4.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    69 left arrow 48
  • 读取速度,GB/s
    3,325.1 left arrow 13.3
  • 写入速度,GB/s
    1,441.2 left arrow 8.5
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    525 left arrow 2398
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较