RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
27
Velocità di lettura, GB/s
12.1
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1676
3631
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link