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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
60
Intorno -58% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
38
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2536
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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