RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
6.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
24
Velocità di lettura, GB/s
13.3
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
2113
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link