RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2113
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link