RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2113
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link