RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
38
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
38
Velocità di lettura, GB/s
12.1
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1676
1493
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link