RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
24
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
21
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2301
3167
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link