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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
41
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
39
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1982
2852
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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