RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
41
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2852
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link