RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
3711
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link