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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
13.5
18.4
写入速度,GB/s
7.8
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1932
3711
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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