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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
13.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
13.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1982
2633
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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