RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB против Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Средняя оценка
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1982
2633
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link