RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1952
2999
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link