RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
2999
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link