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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
52
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
52
Velocità di lettura, GB/s
12.3
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1952
2306
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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