RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
52
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2306
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link