RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
52
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2306
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link