RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
37
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
31
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2999
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link