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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
27
Velocità di lettura, GB/s
13.9
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3631
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO M418039 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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