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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
62
94
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
62
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2710
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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