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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
54
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
54
Velocità di lettura, GB/s
13.8
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2226
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
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