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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
54
En 50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
54
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2226
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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