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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
54
Autour de 50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
54
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2226
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
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