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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
54
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
54
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2226
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
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