RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
62
77
Intorno -24% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
62
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2710
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link