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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
37
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2808
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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