RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
101
Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
101
Velocità di lettura, GB/s
13.9
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
1382
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link