RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
101
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
101
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
1382
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link