RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
13.9
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2382
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link