RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
13.9
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2382
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link