RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
65
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
65
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
1932
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link