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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
65
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
65
读取速度,GB/s
13.9
15.8
写入速度,GB/s
8.6
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1932
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
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Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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