RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
45
Intorno 18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
45
Velocità di lettura, GB/s
13.9
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2414
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link