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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
30
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2341
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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